RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2973
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link