RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3124
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link