RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3124
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link