RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3170
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link