RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3262
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link