RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2849
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link