RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2221
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link