RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
65
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1824
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link