RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3061
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link