RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
29
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3234
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link