RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3694
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link