RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3697
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link