RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3192
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link