RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
29
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
26.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
14
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
4362
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link