RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2472
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link