RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2462
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link