RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1556
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link