RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2501
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link