RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2306
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link