RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
95
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
95
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1518
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link