RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2361
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link