RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2327
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link