RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3247
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link