RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3434
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link