RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3694
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link