RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
51
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
2687
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link