RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2659
2426
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link