RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
3285
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link