RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3318
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link