RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3107
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link