RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3116
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link