RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3367
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link