RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2025
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link