RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2196
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link