RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3038
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link