RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2740
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link