RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3233
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link