RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3704
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link