RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2046
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link