RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
60
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1505
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link