RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2326
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link