RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
67
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
67
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2030
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link