RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
99
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
99
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1358
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link