RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2765
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link