RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3029
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link