RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3235
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link