RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3489
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link