RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2489
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link