RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
64
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2197
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link