RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2148
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link