RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2488
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link